Samsung разработала первый в мире прототип 900-слойного чипа памяти 3D NAND

Корпорация Samsung Electronics анонсировала создание прототипа чипа памяти с архитектурой 900 слоев. Этот шаг направлен на укрепление позиций компании в сегменте производства высокоплотных накопителей NAND, которые становятся критически важным компонентом для инфраструктуры искусственного интеллекта.

Технологические нюансы реализации

В основе архитектуры лежит технология Cell Multi-Bonding (CMB). Проще говоря, инженеры компании объединили две 450-слойные пластины в единый стек. Увеличение количества слоев в памяти NAND позволяет кратно повысить плотность записи данных при одновременном снижении энергопотребления — именно такие параметры требуются для работы нейросетевых моделей, где операции ввода-вывода данных являются «узким местом» системы.

Конкурентная среда и развитие архитектуры

На сегодняшний день мировым лидером в серийном производстве многослойных решений остается SK hynix с 321-слойными микросхемами. Samsung, в свою очередь, готовится к запуску массового производства 400-слойных чипов, одновременно удерживая лидерство по глубине исследований. Ранее корейская компания уже задавала индустриальный стандарт, первой представив технологию 3D V-NAND еще в 2013 году.

На практике развитие таких технологий сопряжено с серьезными физическими трудностями. При увеличении высоты стека возникают критические деформации кремниевых пластин и смещение слоев в процессе производства. Samsung удалось нивелировать эти эффекты благодаря внедрению систем коррекции наложения и оптимизированной конструкции верхнего зажима, что позволило выйти за рамки традиционных методов послойного сверления.

Рыночное давление

Гегемонию корейских производителей тестирует китайская компания Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC), которая уже перешла к массовому выпуску 294-слойных чипов NAND. Стремительное сокращение технологического разрыва, обеспеченное в том числе крупными государственными инвестициями и локализацией оборудования, вынуждает Samsung форсировать R&D-циклы. Достижение показателя в 900 слоев для корейского вендора — это не только научный рубеж, но и превентивная мера, направленная на сохранение технологического отрыва в долгосрочной перспективе.