Китайские ученые создали FeFET-транзистор с затвором 1 нм и напряжением 0,6 В
Новая структура снижает энергопотребление в 10 раз по сравнению с традиционными FeFET и обеспечивает отклик за 1,6 наносекунды. Технология обещает революцию в чипах для н...