TSMC запустит опытное производство чипов по субнанометровому техпроцессу A10 в 2029 году

Согласно отчету главы TSMC Си Си Вэя, представленному по итогам финансового года, техпроцесс 3 нм стал значимым драйвером выручки компании: на него пришлось 25% всех доходов за первый квартал. Руководство TSMC представило детализированную дорожную карту расширения мощностей, охватывающую Тайвань, США и Японию на период до 2028 года.

Региональная стратегия производства 3 нм

Масштабирование 3-нм мощностей пройдет в несколько этапов. В Научном парке Южного Тайваня компания возводит новое предприятие, где массовый выпуск чипов запланирован на первую половину 2027 года. Аналогичный график производства у второго завода в штате Аризона (США) — старт намечен на вторую половину того же года. Япония также включена в цепочку интеграции: на техпроцесс 3 нм будет переведен второй завод в Кумамото, ввод в эксплуатацию которого ожидается в 2028 году. На самом Тайване компания проводит глубокую модернизацию, переоснащая существующие линии 5 нм под стандарты 3 нм.

Развитие архитектур 2 нм, A16 и A14

TSMC активно дифференцирует специализацию заводов исходя из топологии. Комплекс F20 в Баошане с заводами P1 и P2 сфокусирован исключительно на 2-нм техпроцессе, тогда как P3 станет гибридным — с возможностью выпуска 2 нм и A14 (техпроцесс 1,4 нм). Сроки завершения строительства — середина 2026 года. Параллельно в Гаосюне развиваются заводы P1 и P2, которые также отданы под 2 нм, при этом очереди P3 и P4 адаптируют под 2 нм и A16. Внутреннее оснащение P3 в Гаосюне стартует во втором квартале 2026 года, а полный цикл строительства P4 завершится к началу 2027 года. Проектная мощность каждой площадки составляет 20 000–25 000 кремниевых пластин ежемесячно.

Перспективы более тонких техпроцессов (менее 1 нм) связаны с комплексом A10 в Тайнане. Здесь TSMC планирует запустить опытное производство на мощностях P1–P4, рассчитывая выйти на показатель 5000 пластин в месяц к 2029 году. Что касается американского актива F21, то текущий выпуск 4-нм продукции уже достиг 20 000–25 000 пластин в месяц. На очереди в Аризоне запуск P2 (3 нм), P3 (2 нм), P4 (A16) и P5 (A14). В общей сложности компания планирует задействовать 11 предприятий на шести площадках.

Advanced Packaging: состояние и прогнозы по CoWoS и CoPoS

Спрос на технологию упаковки кристаллов CoWoS остается критически высоким. Завод AP8 (Тайнань) наращивает темпы: до конца года мощность производства планируется увеличить до 40 000 единиц ежемесячно. Специализированный завод AP7 в Чиайи сосредоточен на архитектуре WMCM (в интересах Apple), а на мощностях P2 этого же завода начнется внедрение технологии SoIC с целевой производительностью 12 000 единиц в месяц (старт оборудования — июнь 2026 года). К этому объему добавится еще 10 000 единиц ежемесячно от завода AP6 в Чжунане.

Технология CoPoS, сроки реализации которой были скорректированы, теперь имеет более отдаленный горизонт. Проще говоря, проект столкнулся с технологическими задержками. Фундаментальный этап — настройка R&D оборудования — перенесен на третий квартал 2026 года. Опытная линия на заводе P7 в Чиайи будет готова ко второму кварталу 2028 года после года проверок. Если коротко, то серийное производство, вероятнее всего, начнется не ранее четвертого квартала 2030 года.

Дополнительно осложнилась перспектива коллаборации CoWoP с Nvidia и Siliconware Precision Industries (SPIL). Из-за высокой стоимости реализации и сложности проекта интерес со стороны тайваньских игроков ограничен, а основную поддержку инициатива получает преимущественно от китайских производителей.